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J-GLOBAL ID：200903098636821336

半導体発光素子

Inventor： 大塚 康二
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (1)： 高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994332946
Publication number (International publication number)：1996167738
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】 小電流領域から大電流領域まで発光効率が比較的高い発光ダイオードを提供する。【構成】 基板層11、バッファ層12、n形クラッド層13、活性層14、p形クラッド層15、第1及び第2の電流ブロック層16a、16b、コンタクト層17から成る半導体基板の下面にカソード電極19、上面の中央にアノード電極18を形成する。第1の電流ブロック層16aはアノード電極18の下に配置する。第2の電流ブロック層16bは側面21に露出するように環状に形成する。上面20及び側面21を粗面化する。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1導電形のクラッド層と活性層と前記第1導電形と反対の第2導電形のクラッド層と第1導電形の電流ブロック層と第2導電形のコンタクト層とが順に配置された半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面で前記コンタクト層に接続された第1の電極と、前記半導体基板の他方の主面に配設され且つ前記第1導電形のクラッド層に電気的に接続された第2の電極とを備えた半導体発光素子において、前記第1の電極は前記半導体基板の一方の主面の中央部分に設けられ、前記電流ブロック層は第1及び第2の電流ブロック層から成り、前記第1の電流ブロック層は平面的に見て前記第1の電極と重なり合う部分を有するように配置され、前記第2の電流ブロック層は平面的に見て前記コンタクト層を介して前記第1の電流ブロック層を包囲し且つ前記半導体基板の側面に露出するように形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-065769   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351646   Applicant：株式会社東芝