半導体粒子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉村俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007036287
Publication number (International publication number)：2008161854
Application date： Feb. 16, 2007
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：

【課題】ナノ・マイクロデバイスや光触媒の用途に適用可能な半導体粒子及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化ニッケル等のp型半導体と、酸化亜鉛等のn型半導体とを有する半導体粒子により、上記課題を解決する。こうした半導体粒子としては、(A)n型半導体粒子の表面の一部にp型半導体を被覆した構造、(B)p型半導体粒子の表面の一部にn型半導体を被覆した構造、(C)粒子の中央部でp型半導体とn型半導体とが接合する構造、を挙げることができる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ヘテロ接合を有することを特徴とする半導体粒子。

IPC (2)：

B01J 35/02 , B01J 23/80

FI (2)：

B01J35/02 J , B01J23/80 M

F-Term (33)：

4G169AA08 , 4G169BA04A , 4G169BA14A , 4G169BA14B , 4G169BA17 , 4G169BA48A , 4G169BB04A , 4G169BB04B , 4G169BC31A , 4G169BC31B , 4G169BC35A , 4G169BC35B , 4G169BC68A , 4G169BC68B , 4G169CC33 , 4G169EA02X , 4G169EA02Y , 4G169EC28 , 4G169FA01 , 4G169FB02 , 4G169FB10 , 4G169FB58 , 4G169HA02 , 4G169HB01 , 4G169HB06 , 4G169HC04 , 4G169HD02 , 4G169HD04 , 4G169HE09 , 4G169HF03 , 5F051AA09 , 5F051DA07 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

可視光域でも触媒活性を有する光触媒
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-241387 Applicant：住友金属鉱山株式会社
光触媒材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-193564 Applicant：東陶機器株式会社
光触媒
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-200609 Applicant：松尾伸也

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