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J-GLOBAL ID:200903098742127830

処理方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐々木 聖孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994139415
Publication number (International publication number):1995326583
Application date: May. 30, 1994
Publication date: Dec. 12, 1995
Summary:
【要約】[目的]被処理体面内でほぼ均一な処理結果が得られるようにする。[構成]排気管24を介して容器10内が所定の真空度に減圧された状態で、ガス供給管12を介してガス導入口10aより容器内に所定の材料ガスが導入される。ガス導入口10aより導入された材料ガスは、点線GSで示すように、ガス導入口10aを放射源としてガス導入口10aおよび円筒形光学窓14の軸方向(Y軸方向)に指向性または異方性をもって拡散しながら、ウエハ載置台26に吹き付けられる。一方、回転駆動モータ28および並進駆動モータ36がそれぞれ作動することによって、載置台26が回転軸30を中心に回転しながらX方向に往復して並進し、載置台26上の各半導体ウエハWも回転軸30を回転中心軸として載置台24と一体に回転しながらX方向に往復して並進する。
Claim (excerpt):
一定の指向性をもって進む拡散性の物質またはエネルギを放射源より被処理体に向けて放射せしめ、前記被処理体上に所定の処理を施すようにした処理方法において、前記被処理体上の処理結果がほぼ均一になるように前記被処理体を前記放射源に対して相対的に所定の中心軸の回りに回転させると同時に所定の方向に並進させることを特徴とする処理方法。
IPC (3):
H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-290448
  • 常圧CVD装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-161765   Applicant:日本電気株式会社
  • 化学気相成長装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-041164   Applicant:菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
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