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J-GLOBAL ID：200903098757219315

p形II-VI族化合物半導体用電極およびII-VI族化合物半導体発光素子

Inventor： 松岡 隆志 ,  川口 悦弘 ,  朝日 一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 古谷 史旺
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993177929
Publication number (International publication number)：1995038203
Application date： Jul. 19, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ビルトイン電圧が低くかつ接触抵抗も小さいp形II-VI族化合物半導体用電極、および低駆動電圧で動作するII-VI族化合物半導体発光素子を実現することを目的とする。【構成】 p形II-VI族化合物半導体層の直上に、p形 III-V族化合物半導体層を介して金属電極13,14を形成する。また、p形 III-V族化合物半導体層として、InAlP9,InGaAlP,InGaP10,GaAs 11の内の少なくとも1層を用いる。また、p形 III-V族化合物半導体層として、InAlP,InGaAlP,InGaP,GaAsの内の2層以上を用い、かつp形II-VI族化合物半導体に対して価電子帯の不連続が連続的に小さくなる積層構造とする。

Claim (excerpt)：

亜鉛を含むp形II-VI族化合物半導体に形成される電極において、p形II-VI族化合物半導体層の直上に、p形 III-V族化合物半導体層を介して金属電極を形成したことを特徴とするp形II-VI族化合物半導体用電極。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016258   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-137133   Applicant：ローム株式会社