Pat
J-GLOBAL ID:200903098797911033
Siポリマー含有フォトレジスト
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
千田 稔
, 辻永 和徳
, 橋本 幸治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003361269
Publication number (International publication number):2004212946
Application date: Oct. 21, 2003
Publication date: Jul. 29, 2004
Summary:
【課題】基体上の拡散段差やエッチングされたパターン段差を横断する薄層レジストのパターンを寸法精度良く形成する。【解決手段】ケイ素原子に対するシラノール基の比率を約0.01〜1.5としたケイ素含有ポリマーを含むフォトイメージアブル組成物。また、該ポリマーが、エステル基又はアセタール基であるフォト酸レイビル基を含む化学増幅ポジ型又はネガ型組成物。ハロゲン化されたスルホンアミド基を有するポリシルセスオキサン。【選択図】なし
Claim (excerpt):
光活性成分およびポリマー成分を含んでなるポジ型フォトイメージアブル組成物であって、
前記ポリマー成分がSi原子およびシラノール基むポリマーを含んでなり、
前記ポリマーが約0.01〜1.5の、Si原子に対するシラノール基の比を有するフォトイメージアブル組成物。
IPC (7):
G03F7/075
, C07F7/12
, C08G77/26
, C08G77/28
, G03F7/038
, G03F7/039
, H01L21/027
FI (9):
G03F7/075 511
, C07F7/12 Q
, C07F7/12 T
, C08G77/26
, C08G77/28
, G03F7/038 601
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 573
F-Term (47):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB28
, 2H025CB29
, 2H025CB33
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CB47
, 2H025FA17
, 4H049VN01
, 4H049VP10
, 4H049VQ10
, 4H049VQ21
, 4H049VQ79
, 4H049VS11
, 4H049VS12
, 4H049VU24
, 4J246AA03
, 4J246AB01
, 4J246BA11X
, 4J246BA110
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246CA22X
, 4J246CA220
, 4J246CA47X
, 4J246CA470
, 4J246CA74X
, 4J246CA740
, 4J246CA820
, 4J246CA85X
, 4J246CA850
, 4J246FA161
, 4J246FA421
, 4J246FA451
, 4J246FA461
, 4J246FC161
, 4J246HA15
, 5F046NA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
米国特許第4,745,169号明細書
-
米国特許第5,338,818号明細書
-
米国特許第5,619,396号明細書
-
米国特許第5,731,126号明細書
-
米国特許第6,296,985号明細書
-
米国特許第6,340,734号明細書
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Cited by examiner (2)
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-070208
Applicant:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-159834
Applicant:信越化学工業株式会社
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