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J-GLOBAL ID：200903017054694755

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  高橋 俊明 ,  渡辺 淳 ,  石原 俊信 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001070208
Publication number (International publication number)：2002268226
Application date： Mar. 13, 2001
Publication date： Sep. 18, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。(式中、Aは2価の有機基であり、このAの両端でそれぞれ結合する炭素原子と共に、有橋環式であってもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数4〜20の環状の炭化水素基を形成する。R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜4のフッ素化されたアルキル基を示し、R1、R2、R3の内の少なくとも一つはフッ素原子含む。R4は酸不安定基である。)【効果】 本レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、及びプラズマエッチング耐性に優れている。従って、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成できる。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、Aは2価の有機基であり、このAの両端でそれぞれ結合する炭素原子と共に、有橋環式であってもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数4〜20の環状の炭化水素基を形成する。R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜4のフッ素化されたアルキル基を示し、R1、R2、R3の内の少なくとも一つはフッ素原子含む。R4は酸不安定基である。)

IPC (6)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 77/24 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 77/24 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (61)：

2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA04 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA24 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002DF008 ,  4J002EB017 ,  4J002EB117 ,  4J002EC036 ,  4J002ED026 ,  4J002EE036 ,  4J002EH036 ,  4J002EH156 ,  4J002EJ029 ,  4J002EJ039 ,  4J002EJ049 ,  4J002EJ069 ,  4J002EN028 ,  4J002EN038 ,  4J002EN048 ,  4J002EN068 ,  4J002EN078 ,  4J002EU028 ,  4J002EU048 ,  4J002EU078 ,  4J002EU118 ,  4J002EU128 ,  4J002EU138 ,  4J002EU148 ,  4J002EU228 ,  4J002EV247 ,  4J002EV297 ,  4J002EV328 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J035BA12 ,  4J035CA071 ,  4J035CA16N ,  4J035CA162 ,  4J035EA01 ,  4J035LA03 ,  4J035LB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

• 高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-029321   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-227633   Applicant：信越化学工業株式会社
• 感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-012671   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-012540   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-048643   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-303204   Applicant：東レ株式会社
• 共重合ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-107207   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ケイ素含有脂環式化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-291089   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ケイ素含有脂環式化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-318752   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ポリシロキサン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-300517   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ポリシロキサン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-019834   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-077042   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ポリシロキサンとその製造方法および感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-111786   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070196   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070217   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-159834   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-140891   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-140211   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 特公昭49-028189