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J-GLOBAL ID：200903007011961142

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  高橋 俊明 ,  石原 俊信 ,  渡辺 淳 ,  久保田 透 ,  河合 義夫
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001159834
Publication number (International publication number)：2002055456
Application date： May. 29, 2001
Publication date： Feb. 20, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。Rは水素原子又は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、1≦m+n≦6の範囲である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。Rは水素原子又は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、1≦m+n≦6の範囲である。)

IPC (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 77/24 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 77/24 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (55)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  4J002CP031 ,  4J002CP081 ,  4J002CP191 ,  4J002EB116 ,  4J002EJ028 ,  4J002EJ038 ,  4J002EN017 ,  4J002EN057 ,  4J002EU047 ,  4J002EU077 ,  4J002EU117 ,  4J002EU137 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002FD208 ,  4J002GP03 ,  4J035BA01 ,  4J035BA12 ,  4J035CA071 ,  4J035CA082 ,  4J035CA151 ,  4J035CA161 ,  4J035HA01 ,  4J035LB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-048643   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-303204   Applicant：東レ株式会社
• 共重合ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-107207   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070196   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070208   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070217   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-140211   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-140891   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Journal of Chromatography A, 805 (1998), p.217-235