薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996069698
Publication number (International publication number)：1997260673
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】回路を形成するに有利なコプレーナ型で、半導体層を島に加工したのち、真空中でレーザ結晶化し、連続して絶縁膜を形成する。【解決手段】半導体層を島に加工した状態で、島形状の変化を低減できる適正な半導体層成膜条件,レーザ照射条件を適用する。さらに、半導体層の水素等の含有量,膜厚,レーザ照射強度,島寸法等の適正化をおこなう。

Claim (excerpt)：

コプレーナ構造の薄膜トランジスタの製造方法において、能動層の半導体層を島状に加工したのち、減圧下または真空中で、少なくとも結晶化処理と絶縁膜形成処理が連続処理により行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (5)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/31 Z , H01L 29/78 617 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体装置の作製方法及び半導体装置の作製装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-100642 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-084661 Applicant：富士ゼロックス株式会社
特開平4-286369

Show all

Return to Previous Page