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J-GLOBAL ID：200903098892700538

カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜付SiC基板、並びにカーボンナノチューブ付ウィスカー及びその製造方法

Inventor： 楠 美智子 ,  鈴木 敏之 ,  平山 司 ,  柴田 典義
Applicant, Patent owner： 財団法人ファインセラミックスセンター
Agent (1)： 小島 清路
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001059295
Publication number (International publication number)：2002255526
Application date： Mar. 02, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 多結晶質SiC、多孔質SiC及びSiCウィスカーから製造され、大面積で且つ所定方向に配向するカーボンナノチューブ膜、及び所定方向に配向するカーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜付SiC基板、並びにカーボンナノチューブ付ウィスカー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本カーボンナノチューブ膜は、真空下でSiCからなる多結晶質又は多孔質焼結体を、真空の真空度においてSiCが分解して焼結体の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、SiCから珪素原子を除去して、焼結体の表面に形成され、且つ所定の方向に配向したカーボンナノチューブからなる。また、本カーボンナノチューブ2は、SiCウィスカー3の先端に、ウィスカーの延長線方向に形成される。

Claim (excerpt)：

真空下でSiCからなる多結晶質焼結体を、該真空の真空度においてSiCが分解して該多結晶質焼結体の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、SiCから珪素原子を除去して、該多結晶質焼結体の表面に形成され、且つ所定方向に配向する多数のカーボンナノチューブからなることを特徴とするカーボンナノチューブ膜。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C04B 41/80

FI (4)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C04B 41/80 Z

F-Term (4)：

4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-087518   Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター
• カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-225487   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

• カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-087518   Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター
• カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-225487   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Carbon nanotube films formed on SiC poly-crystal

Cited by examiner (1)

• Carbon nanotube films formed on SiC poly-crystal