無酸素プラズマ処理における終了点の決定方法およびアッシング方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萼経夫 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000337593
Publication number (International publication number)：2001189305
Application date： Nov. 06, 2000
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】無酸素プラズマ剥離処理用のアッシング終了点を正確に検出するための万全な方法を提供すること。【解決手段】半導体ウエハ加工で使用する無酸素プラズマ剥離処理の終了点を決める方法。この方法は、窒素ガスと反応性ガスを含むガス組成物を励起して無酸素プラズマを発生し、このプラズマがフォトレジスト/残留物を有する基板88と反応する。終了点は、約387nmの波長で無酸素反応生成物の第1光放出信号を光学的に測定して決定する。プラズマがフォトレジスト/残留物と最早反応しなくなり約387nmで光放出信号を生じる時を終了点と決めて、ウエハからフォトレジスト/残留物が取り除かれたことを表示する。約358nmと約431nmで無酸素反応生成物の第2光放出信号をモニターして終了点を決めることもできる。

Claim (excerpt)：

無酸素プラズマ・ストリッピング処理における終了点を決定するための方法であって、窒素ガスと、この他に水素含有ガス、フッ素含有ガス、およびフッ素-水素含有ガス混合物から選択された1つのガスを含むガス組成物を励起して、無酸素プラズマを形成し、フォトレジストおよび/または残留物を表面上に有する基板(88)に対して前記無酸素プラズマを反応させて、無酸素反応生成物に対応する光放出信号を発生し、前記反応生成物から生じる光放出信号強度を一定の時間にわたって順次記録し、前記反応生成物の光放出信号強度がもはや検出されなくなったときの時間において前記終了点を決定する、各工程を含むことを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-316931 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-280326
特開昭62-071233

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