Pat
J-GLOBAL ID：200903098940414372

不揮発性ランダムアクセスメモリ

Inventor：
大西 茂夫

About 大西 茂夫


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061115
Publication number (International publication number)：1996264665
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】 半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜2、ゲート電極50及び一対の不純物拡散層6a,6bを有するMOS型トランジスタと、下部ゲート電極5b、強誘電体膜9、上部電極10及び一方の不純物拡散層を前記MOS型トランジスタと共有する一対の不純物拡散層を有し、一方の不純物拡散層6aに下部ゲート電極5bの一部が接続されているMFS型トランジスタとからなるメモリセルであり、MOS型トランジスタがビット線11及びワード線に接続され、MFS型トランジスタがドライブ線及び共通線に接続されて構成されている不揮発性ランダムアクセスメモリ。【効果】 DRAM並の高集積度、SFAM並の低消費電力化、高速化及び非破壊のデータ読みだしが可能であるため、インプリント及び膜疲労耐性の影響の少ない、高信頼性のデバイスを提供する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極及び一対の不純物拡散層を有するMOS型トランジスタと、少なくとも下部ゲート電極、強誘電体膜、上部電極及び一方の不純物拡散層を前記MOS型トランジスタと共有する一対の不純物拡散層を有し、前記一方の不純物拡散層に下部ゲート電極の一部が接続されているMFS型トランジスタとからなるメモリセルであって、前記MOS型トランジスタがビット線及びワード線に接続され、前記MFS型トランジスタがドライブ線及び共通線に接続されて構成されていることを特徴とする不揮発性ランダムアクセスメモリ。
IPC (6)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  H01L 27/10 451
FI (4)：
H01L 29/78 371 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  G11C 11/34 352 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体メモリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-267177   Applicant：株式会社日立製作所
  • 強誘電体メモリ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-058397   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
  • 強誘電体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-034081   Applicant：ソニー株式会社

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM