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J-GLOBAL ID：200903099099624290
シリコンウエーハおよびその製造方法ならびにシリコンウエーハの評価方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322242
Publication number (International publication number)：2001139396
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： May. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 結晶位置やデバイスプロセスに依存せずに安定して酸素析出が得られるシリコンウエーハおよびその製造方法を提供する。また、引上げ条件が未知で欠陥領域が不明のシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法を提供する。【解決手段】 CZ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、NV領域、OSFリング領域を含むNV領域、OSFリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が14ppma以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。
Claim (excerpt)：
シリコンウエーハの全面が、NV領域、OSFリング領域を含むNV領域、OSFリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が14ppma以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。
IPC (4)：
C30B 29/06
, H01L 21/02
, H01L 21/322
, H01L 21/66
C30B 29/06 A
, H01L 21/02 B
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/66 N
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH09
, 4G077GA01
, 4G077GA10
, 4M106AA01
, 4M106BA08
, 4M106CB30
, 4M106DH01
