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J-GLOBAL ID:200903099182583393

フッ化金属単結晶体製造用引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005367481
Publication number (International publication number):2006199577
Application date: Dec. 21, 2005
Publication date: Aug. 03, 2006
Summary:
【課題】フッ化金属単結晶体の口径にかかわらず、単結晶体内部に存在する散乱体の数が極めて少ないフッ化金属単結晶体を製造することが容易な引上げ装置、および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法を提供する。【解決手段】フッ化金属単結晶育成炉を形成するチャンバー内に、外坩堝と該外坩堝内に収納されてなる内坩堝とからなる二重構造坩堝が設けられてなり、該二重構造坩堝における外坩堝と内坩堝の両内空部は一部連通しており、さらに、該二重構造坩堝は外坩堝に対する内坩堝の収納深さを連続的に変化させることが可能な構造の引上げ装置において、該単結晶体の育成に伴う内坩堝内の原料溶融液の減少に応じて、外坩堝に対する内坩堝の収納深さを深くしていき、引上げの開始当初から終了までを、内坩堝内の原料溶融液の液量を一定範囲の浅い状態に維持して引上げをおこなう。【選択図】図1
Claim (excerpt):
単結晶育成炉を形成するチャンバー内に、外坩堝と該外坩堝内に収納されてなる内坩堝とからなる二重構造坩堝が設けられてなり、該二重構造坩堝における外坩堝と内坩堝の両内空部は一部連通しており、さらに、該二重構造坩堝は外坩堝に対する内坩堝の収納深さを連続的に変化させることが可能であり、チャンバー内の上記内坩堝の内空部直上に、先端に種結晶体を装着して使用される、上下動が可能な単結晶引上げ棒が垂下する構造であることを特徴とするフッ化金属単結晶体製造用引上げ装置。
IPC (2):
C30B 15/12 ,  C30B 29/12
FI (2):
C30B15/12 ,  C30B29/12
F-Term (8):
4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CF10 ,  4G077EG01 ,  4G077EH06 ,  4G077HA01 ,  4G077PD08 ,  4G077PF15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 国際公開第02/077676号パンフレット
  • 特願昭61-261288号公報
  • 特願昭62-87489号公報
Cited by examiner (6)
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