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J-GLOBAL ID：200903058200066620

窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および窒化物系III-V族化合物半導体基板の製造方法

Inventor：
簗嶋 克典

About 簗嶋 克典

, 
池田 昌夫

About 池田 昌夫

, 
冨岡 聡

About 冨岡 聡


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996325260
Publication number (International publication number)：1998173288
Application date： Dec. 05, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】 表面荒れやクラックがなく結晶性も良好な良質の窒化物系III-V族化合物半導体基板を高い生産性で製造することができる窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および窒化物系III-V族化合物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 c面サファイア基板1上にMOCVD法やMBE法により4μm/h以下の成長速度で薄いGaN層2を成長させた後、このGaN層2上にハイドライドVPE法により4μm/hよりも大きくかつ200μm/h以下の成長速度で十分に厚いGaN層3を成長させる。次に、c面サファイア基板1をエッチングまたはラッピングにより除去し、GaN層2、3からなるGaN基板を得る。この後、GaN層2またはGaN層3の表面のうち成長表面として用いる方の表面をエッチングまたはポリッシングして良質な表面状態とする。
Claim (excerpt)：
基板上に第1の気相成長法により4μm/h以下の成長速度で第1のBw Alx Gay Inz N層(ただし、0≦w≦1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、w+x+y+z=1)を成長させる工程と、上記第1のBw Alx Gay Inz N層上に第2の気相成長法により4μm/hよりも大きくかつ200μm/h以下の成長速度で第2のBw Alx Gay Inz N層(ただし、0≦w≦1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、w+x+y+z=1)を成長させる工程とを有することを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法。
IPC (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205
FI (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • GaN単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-062815   Applicant：三菱電線工業株式会社
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
  • III族窒化物半導体の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-354572   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
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Cited by examiner (6)
  • GaN単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-062815   Applicant：三菱電線工業株式会社
  • 青色発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238553   Applicant：三菱電線工業株式会社
  • 特開平4-297023
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