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J-GLOBAL ID：200903099312919658

半導体試料の検査方法

Inventor：
則岡 節雄

About 則岡 節雄


Applicant, Patent owner：
日本電子株式会社

About 日本電子株式会社


Agent (1)： 井島 藤治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000015920
Publication number (International publication number)：2001210687
Application date： Jan. 25, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 短時間に半導体ウェハ試料の欠陥部分の検査を行うことができる半導体試料の検査方法を実現する。【解決手段】 光学式検査装置1により得られた情報に基づき、欠陥のない特定領域を見出し、この分割領域ごとに電子ビームEBの走査を行い、基準画像データを得て画像メモリー14に記憶させる。更に、光学式検査装置1で認識された欠陥部分において電子ビームの走査を行い、画像データを取得し、この欠陥部分を含む画像データと欠陥部分に対応した基準画像データとを比較する。この比較により、欠陥の位置をあらためて認識し、この欠陥部分を電子ビームの走査中心近傍に配置し、所定の倍率で電子ビームを走査して画像データを取得し、この画像データに基づいて欠陥部分の分類を行う。
Claim (excerpt)：
同一形状のパターンが配列された特定領域が複数存在する被検査半導体試料に対し、第1の検査装置によって試料上の欠陥部分の少なくとも位置を認識し、走査電子顕微鏡機能を有した第2の検査装置で第1の検査装置により認識された試料上の欠陥部分の位置において電子ビームを走査し、この走査によって得られた画像信号に基づいて欠陥部分の所定の検査を行うようにした半導体試料の検査方法において、第1の検査装置により得られた情報に基づき、欠陥のない特定領域を見出し、この特定領域を仮想的に分割して所定の倍率により分割領域ごとに電子ビームの走査を行い、各走査によって試料から得られた画像信号を前記特定領域の基準画像データとして記憶させ、第1の検査装置で認識された欠陥部分において所定の倍率により電子ビームの走査を行い、試料からの信号を検出して画像データを取得し、欠陥部分に対応した基準画像データ中の領域の画像データを切り出し、切り出された基準画像データと欠陥部分を含む画像データとを比較するようにした半導体試料の検査方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/22 502
FI (3)：
H01L 21/66 J ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/22 502 H
F-Term (31)：
2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001FA02 ,  2G001FA06 ,  2G001GA01 ,  2G001GA04 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001JA16 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA39 ,  4M106CA41 ,  4M106DB02 ,  4M106DB05 ,  4M106DB08 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ07 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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