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J-GLOBAL ID：200903099327042604

有機物の分解方法、および半導体素子の製造方法

Inventor： 中島 俊貴 ,  鈴木 博則 ,  鈴木 克己
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000003941
Publication number (International publication number)：2001196348
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 レジスト材料に代表されるような有機物を好適に分解することが可能な有機物の分解方法を提供すること。【解決手段】 本発明の第1の方法は、有機物に紫外線を照射し、次いで、かかる有機物をオゾン含有水で処理することを特徴とする。本発明の第2の方法は、有機物に紫外線を照射しつつ、かかる有機物をオゾン含有水で処理することを特徴とする。紫外線の波長は、150〜380nm程度とすることが好ましい。紫外線の照射強度は、1〜500mW/cm2程度とすることが好ましい。オゾン含有水のオゾン濃度は、1〜200ppm程度とすることが好ましい。オゾン含有水で有機物を処理する際の処理時間は、30秒〜300分程度とすることが好ましい。オゾン含有水の温度は、10〜90°C程度とすることが好ましい。

Claim (excerpt)：

有機物に紫外線を照射し、次いで、該有機物をオゾン含有水で処理することを特徴とする有機物の分解方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 647 ,  B01J 19/12 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (5)：

H01L 21/304 647 Z ,  B01J 19/12 Z ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D

F-Term (26)：

2H096AA25 ,  2H096HA11 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075BA04 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075BC06 ,  4G075CA33 ,  4G075CA57 ,  4G075DA02 ,  4G075EB31 ,  4G075FC09 ,  4G075FC13 ,  4G075FC20 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043BB27 ,  5F043CC16 ,  5F043DD07 ,  5F043DD08 ,  5F046MA02 ,  5F046MA04 ,  5F046MA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 有機質汚れの高度洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-035497   Applicant：株式会社ササクラ
• 特開平4-369222
  
• 半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-331555   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ