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J-GLOBAL ID：200903099392271505

半導体装置の作製方法

Inventor：
荒井 康行

About 荒井 康行

, 
前川 慎志

About 前川 慎志


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002104391
Publication number (International publication number)：2002373858
Application date： Apr. 05, 2002
Publication date： Dec. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】 金属元素を用いる熱結晶化法によって得られる結晶質半導体膜の結晶粒の粒径を小さくすることで、デバイスの活性領域における結晶粒の数を一様にする。【解決手段】 本発明は、半導体膜を成膜する際の温度および前記半導体膜の結晶化の際の温度よりも低温で作製された絶縁膜上に形成された半導体膜に、金属元素を利用した熱結晶化法を行なうことを特徴とする。半導体膜の結晶化工程における熱処理によって、半導体膜に対して前記絶縁膜に応力を働かせ、前記半導体膜に歪みを生じさせる。前記歪みを生じさせることで、前記半導体膜の表面エネルギーや化学ポテンシャルが変化し、自然核の生成を促進する。そのため、結晶核の生成密度が増加し、結晶粒の粒径を小さくする事が可能となる。
Claim (excerpt)：
第1の温度で絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第2の温度で半導体膜を形成し、前記半導体膜に金属元素を添加し、前記金属元素が添加された前記半導体膜に第3の温度で熱処理を行って結晶質半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であって、前記第3の温度は前記第1の温度および前記第2の温度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 618 Z
F-Term (112)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA49 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092NA01 ,  2H092NA11 ,  2H092NA13 ,  2H092NA21 ,  2H092NA24 ,  2H092NA29 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP36 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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