Pat
J-GLOBAL ID：200903099414520857

有機EL素子の製造方法および有機EL転写体と被転写体

Inventor：
岸 本 比呂志

About 岸 本 比呂志


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 吉武 賢次 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001387199
Publication number (International publication number)：2003187972
Application date： Dec. 20, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：
【要約】【課題】 比較的低温の転写により簡易に高品質の有機EL素子を製造する方法と、これに用いる有機EL転写体、被転写体の提供。【解決手段】 支持体と前記支持体上に剥離可能に形成されている発光層とを少なくとも有する転写体と、基体と前記基体上に形成されている電極とを少なくとも有する被転写体とを用いて、前記転写体の前記発光層側と、前記被転写体の前記電極側とを重ね合わせ、前記転写体から少なくとも前記発光層を前記被転写体上に部分的に転写する工程を有する有機EL素子の製造方法であって、前記転写体の前記被転写体に接する層、または、前記被転写体の前記転写体に接する層の少なくとも一方に、接着性向上物質が含まれる方法。
Claim (excerpt)：
支持体と前記支持体上に剥離可能に形成されている発光層とを少なくとも有する転写体と、基体と前記基体上に形成されている電極とを少なくとも有する被転写体、とを用いて、前記転写体の前記発光層側と、前記被転写体の前記電極側とを重ね合わせ、前記転写体から少なくとも前記発光層を前記被転写体上に部分的に転写する工程を有する有機EL素子の製造方法であって、前記転写体の前記被転写体に接する層、または、前記被転写体の前記転写体に接する層の少なくとも一方に、接着性向上物質が含まれてなることを特徴とする、有機EL素子の製造方法。
IPC (2)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (2)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
F-Term (5)：
3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM