歪多重量子井戸構造およびその製造方法ならびに半導体レーザ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994023937
Publication number (International publication number)：1995235730
Application date： Feb. 22, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】発光特性の良い歪多重量子井戸構造を提供する。【構成】 InP基板601上に層厚100nmのIn0.83Ga0.17As0.38P0.62(λg=1.15μm)602にはさまれた10周期の障壁層603と層厚8nmで引張り歪量1.38%のIn0.46Ga0.54As0.75P0.25歪井戸層604からなる超格子層605が形成されている。超格子層605の上にはInP層606が積層されている。障壁層603が層厚3nmのIn0.83Ga0.17As0.38P0.62(λg=1.15μm)無歪障壁層607にはさまれた層厚10nmで圧縮歪1.23%のInAs0.38P0.62608で構成されている。この様な構成にすることにより、発光特性を損なうことなく歪多重量子井戸活性層に導入できる引張り歪量を大きくでき、かつ井戸層数を多くできる。

Claim (excerpt)：

In(1ーxw)Ga(xw)As(yw)P(1ーyw)井戸層と障壁層とを備え、前記井戸層には引っ張り歪が加えられており、前記障壁層は前記井戸層と接する部分であるIn(1ーxb1)Ga(xb1)As(yb1)P(1ーyb1)無歪障壁層と、前記無歪障壁層に接する部分にはIn(1ーxb2)Ga(xb2)As(yb1)P(1ーyb1)歪障壁層層とを有し、前記歪障壁層には圧縮歪が加えられており、前記無歪障壁層と前記歪障壁層のAsとPの比率が同じであることを特徴とする歪多重量子井戸構造。

IPC (4)：

H01S 3/18 , H01L 21/20 , H01L 29/06 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ひずみ超格子を有する半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-087465 Applicant：国際電信電話株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-218933 Applicant：株式会社東芝
半導体構造及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-015330 Applicant：株式会社日立製作所

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