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J-GLOBAL ID：200903099631111647
半導体素子の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
酒井 昭徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004130369
Publication number (International publication number)：2005317570
Application date： Apr. 26, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：
【課題】ウェハ表面に貼り付けたバックグラインド用の表面保護テープを加熱により変形させて、ウェハ表面のポリイミド保護膜による凹凸形状を緩和することによって、半導体素子の作製時のウェハ割れを防ぐこと。【解決手段】半導体ウェハ31のポリイミド保護膜32による凹凸を有する表面に、基材層26と粘着剤層25を備えた表面保護テープ24を貼り付けた後に、50〜120°Cの温度、例えば70°Cで1〜5分間、加熱し、基材層26および粘着剤層25を変形させて、基材層26の表面をほぼ平坦にする。表面保護テープ24を貼り付けた状態のまま、ウェハ裏面を研削加工して薄ウェハにする。そして、ダイシングをおこなう直前まで、半導体ウェハ31に表面保護テープ24を貼り付けた状態のまま、各種処理をおこなう。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体ウェハの凹凸を有する表面に、基材層と粘着剤層を備えたテープを、該粘着剤層がウェハ表面に接するように貼り付ける貼り付け工程と、
加熱により前記基材層および前記粘着剤層を変形させて同基材層の表面をほぼ平坦にする加熱工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (5)：
H01L21/02
, H01L21/304
, H01L21/336
, H01L21/68
, H01L29/78
H01L21/02 C
, H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
, H01L21/68 N
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 658Z
5F031CA02
, 5F031DA15
, 5F031HA78
, 5F031MA22
, 5F031MA37
, 5F031PA13
, 5F031PA20
, 5F031PA26
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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