半導体発光素子の製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057684
Publication number (International publication number)：1996255951
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】エッチングされた側面が基板面に対して垂直になるようにし、半導体レーザや側面から発光するLEDなどの発光特性を向上することができるチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子の製法を提供する。【構成】基板1上に少なくともn型層およびp型層を含み発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層2〜7を積層し、該積層された半導体層の少なくとも一部をエッチングし、該エッチングされた側面から光をとり出す半導体発光素子の製法であって、前記半導体層を積層したのち該半導体層の表面に画像反転レジスト膜10を設け、該画像反転レジスト膜の開口部11が前記半導体層の表面に対して実質的に垂直になるようにパターニングし、該パターニングされた画像反転レジスト膜をマスクとして前記半導体層を反応性イオンエッチングによりエッチングすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の少なくとも一部をエッチングし、該エッチングされた側面から光をとり出す半導体発光素子の製法であって、前記半導体層を積層したのち該半導体層の表面に画像反転レジスト膜を設け、該画像反転レジスト膜の開口部が前記半導体層の表面に対して実質的に垂直になるようにパターニングし、該パターニングされた画像反転レジスト膜をマスクとして前記半導体層を反応性イオンエッチングによりエッチングすることを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C , H01L 33/00 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (18)

特開昭63-128689
特開昭63-128689
特開昭63-043325

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