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J-GLOBAL ID：200903099708619576

炭素構造体の製造方法及び炭素構造体、並びに炭素構造体の集合体及び分散体

Inventor： 白谷 俊史 ,  相京 浩幸 ,  山本 昌樹 ,  遠田 淳 ,  下村 政嗣 ,  山本 貞明 ,  居城 邦治 ,  土方 健二 ,  藪 浩 ,  松尾 保孝 ,  田中 賢
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社 ,  国立大学法人 北海道大学
Agent (1)： 真田 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006317609
Publication number (International publication number)：2007169148
Application date： Nov. 24, 2006
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：

【課題】様々な形状のナノ構造を有する炭素構造体を安価且つ効率的に作製することが可能な炭素構造体の製造方法を提供する。【解決手段】含炭素材料をパターンに成形した後、得られたパターンを原形型で被覆し、焼成して炭素化させる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

含炭素材料をパターンに成形した後、得られたパターンを原形型で被覆し、焼成して炭素化させる ことを特徴とする、炭素構造体の製造方法。

IPC (2)：

C04B 35/52 ,  C01B 31/02

FI (3)：

C04B35/52 F ,  C01B31/02 101A ,  C01B31/02 101Z

F-Term (34)：

4G132AA01 ,  4G132AA14 ,  4G132AA16 ,  4G132AA20 ,  4G132BA06 ,  4G132BA16 ,  4G132BA22 ,  4G132BA29 ,  4G132CA04 ,  4G132CA05 ,  4G132CA06 ,  4G132CA13 ,  4G132CA18 ,  4G132GA01 ,  4G132GA08 ,  4G132GA20 ,  4G132GA25 ,  4G132GA28 ,  4G132GA31 ,  4G146AA01 ,  4G146AB05 ,  4G146AB10 ,  4G146AD11 ,  4G146AD14 ,  4G146BA13 ,  4G146BA16 ,  4G146BA17 ,  4G146BA18 ,  4G146BA22 ,  4G146BB05 ,  4G146BB15 ,  4G146BC02 ,  4G146BC03 ,  4G146BC34B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 向上された機械的強度を有するナノ多孔性炭素の製造方法及びそれによって製造されるナノ多孔性炭素
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-365606   Applicant：三星電子株式会社
• 炭素材料からなる熱放射体、その製造方法およびその放射体を備えた熱放射光源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-124438   Applicant：松下電器産業株式会社