バンプ電極形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996154275
Publication number (International publication number)：1998004098
Application date： Jun. 14, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】レジストのホト穴に埋設されてその表面にはんだバンプが堆積形成されるバンプ電極からレジストを剥離除去する際に、はんだバンプとして堆積形成するはんだ量に拘わらずレジスト残渣の発生を抑制する。【解決手段】ウェハ上1に塗布したレジスト6の所定部分にホト穴を形成し、該形成したホト穴にバンプ電極7を埋設するとともに、この埋設したバンプ電極7の表面にはんだバンプ8をメッキ形成する。そして、このメッキ形成したはんだバンプ8を熱処理によってリフローした後、レジスト剥離液を用いてレジスト6を剥離除去する。このような手順を採用することにより、メッキされたはんだがレジスト6の表面に張り出していても、該リフローによるはんだ自身の表面張力によってその張り出している部分が引き上げられ、レジスト6の剥離除去に際しその全面にレジスト剥離液が接触するようになる。

Claim (excerpt)：

ウェハ上に設けたレジストの所定部分にホト穴を形成し、該形成したホト穴にバンプ電極を埋設するとともに、この埋設したバンプ電極の表面にはんだバンプを堆積形成した後、前記レジストを剥離除去してバンプ電極を形成するバンプ電極形成方法において、前記バンプ電極の表面に堆積形成したはんだバンプを熱処理によってリフローした後、前記レジストを剥離除去するようにしたことを特徴とするバンプ電極形成方法。

FI (2)：

H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 604 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-125932
半田バンプ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-241071 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法、半導体装置におけるバンプ密着性評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-290948 Applicant：富士通株式会社

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