SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005374884
Publication number (International publication number)：2006210898
Application date： Dec. 27, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】透明絶縁性基板とSOI層との熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等の発生を簡易な工程で防止できるSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコンウェーハと透明絶縁性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成してSOIウェーハを製造する方法において、単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入してウェーハ中にイオン注入層を形成し、該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は前記透明絶縁性基板の表面をプラズマ及び/又はオゾンで処理し、前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合し、前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離して前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンウェーハと透明絶縁性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成してSOIウェーハを製造する方法において、少なくとも、単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマ及び/又はオゾンで処理する工程、前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成する工程、を行なうことを特徴とするSOIウエーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (1)：

H01L27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

SOIウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるSOIウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-329507 Applicant：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社

Cited by examiner (8)

SOI基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-040964 Applicant：キヤノン株式会社
半導体基板、半導体薄膜の作製方法および多層構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-132985 Applicant：キヤノン株式会社
プラズマ侵入型イオン注入を使用するクラスタツール方法及び装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-504917 Applicant：シリコンジェネシスコーポレイション

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