プラズマ制御方法、及びプラズマ制御装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：杉村興作 , 高見和明 , 徳永博 , 岩佐義幸 , 藤谷史朗 , 来間清志 , 冨田和幸 , 阿相順一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003345672
Publication number (International publication number)：2005116217
Application date： Oct. 03, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】プラズマジェットの非定常場での不安定挙動を簡易に制御する。【解決手段】プラズマジェット発生装置11の発射口前方において、磁場発生手段12を設ける。プラズマジェット発生装置11から発射したプラズマジェットPの物理特性を、測定部13におけるセンサ131でモニタリングするとともに、その状態をCCDカメラ132で撮像し、得られたモニタリング情報及び画像情報をPID制御部14に送る。PID制御部14からは所定の制御信号が磁場発生手段12に送られ、プラズマジェットPに所定の磁場を印加して、プラズマジェットPの特性変動を抑制する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

プラズマジェット発生装置の発射口前方において、磁場発生手段を設ける工程と、前記プラズマジェット発生装置からプラズマジェットを発射させる工程と、前記プラズマジェットの物理特性をモニタリングし、このモニタリング情報に基づいて前記磁場発生手段を制御し、前記プラズマジェットに所定の磁場を印加することにより、前記プラズマジェットの変動幅を抑制する工程と、を具えることを特徴とする、プラズマ制御方法。

IPC (2)：

H05H1/40 , H05H1/00

FI (2)：

H05H1/40 , H05H1/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ溶射法及びプラズマ溶射装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-045306 Applicant：アイシン精機株式会社
磁界制御プラズマによる溶射法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-253352 Applicant：株式会社きんでん
熱プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-246031 Applicant：日本電子株式会社

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