強磁性強誘電体薄膜とその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998090422
Publication number (International publication number)：1999286774
Application date： Apr. 02, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】異質メカニズムとの共存とによる増大された情報量での記録を可能とするメモリー媒体として有用な薄膜を提供する。【解決手段】次式ABO3(Aは、2価あるいは3価の金属元素を、Bは、3価あるいは4価の金属元素を示す)で表わされる化合物組成を有し、ペロブスカイト型結晶構造を持つ結晶化薄膜であって、強磁性強誘電体であることを特徴とする強磁性強誘電体薄膜とする。

Claim (excerpt)：

次式ABO3(Aは、2価あるいは3価の金属元素を、Bは、3価あるいは4価の金属元素を示す)で表わされる化合物組成を有し、ペロブスカイト型結晶構造を持つ結晶化薄膜であって、強磁性強誘電体であることを特徴とする強磁性強誘電体薄膜。

IPC (2)：

C23C 14/08 , C23C 14/28

FI (2)：

C23C 14/08 K , C23C 14/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-260695
特開平4-051407
特開平2-258700

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