チタン酸ジルコニウム酸鉛系膜、誘電体素子、誘電体膜の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 西山雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003209766
Publication number (International publication number)：2004345939
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

【課題】高性能のチタン酸ジルコニウム酸鉛系エピタキシャル膜を提供すること。【解決手段】一般式Pb1-xLnxZryTi1-yO3(式中、Lnはランタン、ランタノイド元素、ニオブ、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、鉄、マンガンなどを表し、0≦x<1、0.43≦y≦0.65である。)で表される化学組成を有し、かつ膜の横断面方向(膜表面に垂直な方向)に(111)配向又はそれから15°以内の角度で配向した結晶膜であるチタン酸ジルコニウム酸鉛系エピタキシャル膜。好ましくはMOCVD法で成膜し、0.47≦y≦0.55である。圧電素子その他への応用。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

一般式Pb1-xLnxZryTi1-yO3(式中、Lnはランタン、ランタノイド元素、ニオブ、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、鉄、マンガン、スズを表し、0≦x<1、0.43≦y≦0.65である。)で表される化学組成を有し、かつ{111}配向(基板面に垂直な方向からのチルト角が15°以内の配向を含む)のエピタキシャル結晶膜であることを特徴とするチタン酸ジルコニウム酸鉛系膜。

IPC (8)：

C30B29/32 , B41J2/16 , C23C16/40 , H01L27/105 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/24

FI (8)：

C30B29/32 D , C23C16/40 , H01L27/10 444C , H01L41/18 101D , H01L41/22 A , H01L41/18 101Z , H01L41/08 D , B41J3/04 103H

F-Term (37)：

2C057AF03 , 2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AP14 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077AB08 , 4G077BC43 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077HA11 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TK06 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030BA07 , 4K030BA13 , 4K030BA16 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BA59 , 4K030BB01 , 4K030BB06 , 4K030CA05 , 4K030CA17 , 4K030FA10 , 4K030LA11 , 5F083FR00 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-094799 Applicant：株式会社村田製作所
強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-253480 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Preparation and electrical properties of ferroelectric (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin films by metalorganic c
常圧MOCVD法によるPbTiO3薄膜の合成

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