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J-GLOBAL ID：200903099904379290

画像検出装置

Inventor：
岡田 美広

About 岡田 美広


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007199568
Publication number (International publication number)：2009038123
Application date： Jul. 31, 2007
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：
【課題】感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供する。【解決手段】ガラス基板1上に、X線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜6が形成されると共に、各々対向配置された2つの蓄積容量上部電極18、蓄積容量下部電極14を含み、半導体膜6に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量5が半導体膜6とガラス基板1の間に形成されたTFTアクティブマトリクス基板10と、TFTアクティブマトリクス基板10のガラス基板1側の面に対して光を照射するバックライト40と、を備え、蓄積容量上部電極18、蓄積容量下部電極14は、半導体膜6の当該電荷蓄積容量5が形成された領域に対してバックライト40から所定強度以上の光が照射されるように形成した。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
光透過性を有する部材によって形成された基板上に、X線が照射されることにより電荷が発生する半導体層が形成されると共に、各々対向配置された2つの電極を含み、前記半導体層に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の蓄積部が前記半導体層と前記基板の間に形成されたセンサパネルと、 前記センサパネルの前記基板側の面に対して光を照射するライトと、を備え、 前記蓄積部の各電極は、前記半導体層の当該蓄積部が形成された領域に対して前記ライトから所定強度以上の光が照射されるように形成されたことを特徴とする画像検出装置。
IPC (4)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09 ,  G01T 1/24
FI (4)：
H01L27/14 C ,  H01L27/14 K ,  H01L31/00 A ,  G01T1/24
F-Term (27)：
2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB20 ,  4M118FB23 ,  4M118GA10 ,  5F088AA09 ,  5F088AB01 ,  5F088AB05 ,  5F088BA10 ,  5F088BA20 ,  5F088DA03 ,  5F088EA04 ,  5F088GA02 ,  5F088KA08 ,  5F088KA10 ,  5F088LA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 放射線撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-198413   Applicant：株式会社島津製作所
Cited by examiner (6)
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