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J-GLOBAL ID：200903023330752365

固体撮像素子

Inventor：
雫石 誠

About 雫石 誠


Applicant, Patent owner：
富士フイルムマイクロデバイス株式会社

About 富士フイルムマイクロデバイス株式会社

, 
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004335582
Publication number (International publication number)：2006147825
Application date： Nov. 19, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】カメラレンズ系の低F値化に伴うケラレの発生を抑えながら、高感度の撮像及び高速駆動が可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】N型シリコン基板上のY方向に延在し、光電変換機能及び該光電変換機能により得られた信号電荷をY方向に転送する信号電荷転送機能を有する光電変換転送領域1が、N型シリコン基板上のX方向に複数配列された固体撮像素子100であって、光電変換転送領域1上を覆うようにX方向に延設され光電変換転送領域1の電位を制御するための転送パルスを供給する転送電極2,3,4と、光電変換転送領域1に転送電極2,3,4を挟んで対向するY方向に延設された裏打配線5,6,7と、転送電極2,3,4と裏打配線5,6,7とを電気的に接続するコンタクト部8,9,10とを備え、裏打配線5,6,7は、N型シリコン基板上の一部の光電変換転送領域1のみに対応して設けられ、長波長の光を透過する材料からなる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
半導体基板上の列方向に延在し、光電変換機能及び前記光電変換機能により得られた信号電荷を前記列方向に転送する信号電荷転送機能を有する光電変換転送領域が、前記半導体基板上の前記列方向と直交する行方向に複数配列された固体撮像素子であって、 前記光電変換転送領域上を覆うように前記行方向に延設され前記光電変換転送領域の電位を制御するための転送パルスを供給する転送電極と、 前記転送電極の上方で前記列方向に延設される配線と、 前記転送電極と前記配線とを電気的に接続するコンタクト部とを備え、 前記配線は、長波長の光を透過する材料からなる固体撮像素子。
IPC (3)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335 ,  H04N 9/07
FI (4)：
H01L27/14 B ,  H04N5/335 F ,  H04N5/335 V ,  H04N9/07 A
F-Term (33)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118CA08 ,  4M118CA27 ,  4M118CB14 ,  4M118DA03 ,  4M118DA20 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA38 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX42 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX02 ,  5C024GY03 ,  5C024HX01 ,  5C065BB42 ,  5C065CC01 ,  5C065DD06 ,  5C065DD17 ,  5C065EE04 ,  5C065EE06 ,  5C065EE10 ,  5C065EE11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第2525646号明細書
Cited by examiner (4)
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