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J-GLOBAL ID：201002200828273312   Reference number：10A0464177

高耐環境性HDP-CVD SiN保護膜を有するMTJ素子のアニール耐性

Author (3)： UTSUMI HIROAKI (NEC デバプラ研) ,  SUEMITSU KATSUMI (NEC デバプラ研) ,  KINOSHITA KEIZO (NEC デバプラ研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 57th  Page： ROMBUNNO.19P-ZJ-12  Publication year： Mar. 03, 2010 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： protective film ,  *tunnel junction ,  *annealing (heat treatment) ,  silicon nitride ,  *plasma CVD ,  *magnetic tunnel junction

JST classification (1)： Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (7)： 耐環境性 ,  CVD ,  SiN ,  保護膜 ,  MTJ素子 ,  アニール ,  耐性