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J-GLOBAL ID：201002205046507944   Reference number：10A0695608

Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

ナノ規模金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターにおける界面トラップの個数および個々の電子的性質のゆらぎの直接観察

Author (5)： TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  MORI Yuki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  MORIMURA Yuta (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  MOGAMI Tohru (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN) ,  OHJI Yuzuru (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 6,Issue 1  Page： 064001.1-064001.5  Publication year： Jun. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  *trapping center ,  carrier capture ,  interface(surface) ,  *fluctuation ,  *excitation(physics) ,  transient phenomenon ,  observation and view
Semi thesaurus term： *interface trap ,  *charge pumping

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Reference (24)：

• T. Mizuno, J. Okamura, and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 41(1994)2216.
• K. Takeuchi, T. Fukai, T. Tsunomura, A. T. Putra, A. Nishida, S. Kamohara, and T. Hiramoto: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 467.
• A. Asenov, A. Cathibnol, B. Cheng, K. P. McKenna, A. R. Brown, A. L. Shluger, D. Chanemougame, K. Rochereau, and G. Ghibaudo: IEEE Electron Device Lett.29(2008)913.
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• N. Tega, H. Miki, T. Osabe, A. Kotabe, K. Otsuga, H. Kurata, S. Kamohara, K. Tokami, Y. Ikeda, and R. Yamada: IEDM Tech. Dig., 2006, P. 491.

Terms in the title (8)： 規模 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスター ,  界面トラップ ,  個数 ,  電子 ,  性質 ,  ゆらぎ