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J-GLOBAL ID：201002231478006955   Reference number：10A0134528

Low-Temperature Formation of High-Quality GeO₂ Interlayer for High-κ Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques

電子サイクロトロン共鳴プラズマ技法による高kゲート誘電体/Geのための高品質GeO₂中間層の低温生成

Author (6)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  YAZAKI Yuya (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  OTANI Yohei (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  SATO Tetsuya (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  TOYOTA Hiroshi (Hirosaki Univ., Hirosaki, JPN) ,  ONO Toshiro (Hirosaki Univ., Hirosaki, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 57  Issue： 1  Page： 282-287  Publication year： Jan. 2010 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gate (semiconductor) ,  *dielectrics ,  oxide film ,  *Germanium ,  silicon ,  CMOS structure ,  dielectric material ,  *electron cyclotron resonance plasma ,  sputtering ,  MOS structure ,  interface ,  photoemission ,  low temperature production ,  gate dielectric film ,  high-k dielectrics ,  interlayer ,  conversion coating film ,  *plasma
Semi thesaurus term： gate dielectric ,  high-dielectric constant material ,  electron cyclotron resonance plasma

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  技法 ,  ゲート誘電体 ,  Ge ,  高品質 ,  GeO2 ,  中間層 ,  低温生成