Art

J-GLOBAL ID：201002231566935176   Reference number：10A0235711

Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases

極薄傾斜ベースを持つInP/GaInAsヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース通過時間のモンテカルロ解析

Author (4)： UESAWA Takafumi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMADA Masayuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 2,Issue 1  Page： 024302.1-024302.3  Publication year： Feb. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ultrathin film ,  inclination ,  base (semiconductor) ,  *indium gallium arsenide ,  *HBT ,  Time ,  Monte Carlo Method ,  doping ,  Computer Simulation ,  emitter ,  conduction band ,  discontinuity ,  electron ,  positive hole ,  plasmon ,  spontaneous emission ,  scattering ,  thickness ,  band gap ,  collector (semiconductor) ,  energy ,  *indium phosphide ,  passage time ,  heat energy ,  computer application ,  utilization
Semi thesaurus term： *HBT

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Reference (12)：

• W. Snodgrass, W. Haiez, N. Harff. and M. Feng: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 1.
• Z. Griffith, Y. Done, D. Scott, Y. Wei, N. Parthasarathy, M. Dahlstrom, C. Kadow, V. Paidi, M. J. W. Rodwell. M. Urteaga. R. Pierson. P. Rodwell, B. Brar, S. Lee, N. X. Nguyen, and C. Nguyen: IEEE J. Solid-State Circuits 40(2005)2061.
• T. Ishihashi: IEEE Trans. Electron Devices 48(2001)2595.
• H. Kroemer: J. Vac. Sci. Technol. B 1(1983)126.
• H. Nakajima and T. Ishihashi: IEEE Trans. Electron Devices 40(1993)1950.

Terms in the title (5)： InP ,  GaInAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  通過時間 ,  モンテカルロ解析