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J-GLOBAL ID：201002246048649779   Reference number：10A0826391

Photoelectric threshold of silicon wafer surfaces implanted with H, Si and Ar ions

H,Si及びArイオン注入したシリコンウエハ表面の光電閾値

Author (6)： MOMOSE Y. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  KOSAKA S. (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  SAKURAI T. (Ashikaga Inst. of Technol., Ashikaga, JPN) ,  YANAGISAWA M. (Waseda Uuniversity, Tokyo, JPN) ,  NAKAYAMA K. (Chiba Inst. of Technol., Narashino, JPN) ,  NAKAYAMA K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
Material： Surface and Interface Analysis  (SIA)
Volume： 42  Issue： 6/7  Page： 1333-1337  Publication year： Jun. 2010 
JST Material Number： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ion implantation ,  wafer ,  *silicon ,  *photoemission ,  Hydrogen ,  Argon ,  threshold ,  cathodoluminescence ,  proton ,  cation ,  silicon ion ,  Si wafer
Semi thesaurus term： アルゴンイオン ,  cathodoluminescence

JST classification (4)： Surface chemistry in general  (CB12010J) ,  Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D) ,  Photoemission and photoelectrons  (BM09030D) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： Si ,  Arイオン ,  注入 ,  シリコンウエハ ,  光電 ,  閾値