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J-GLOBAL ID：201002254332187915   Reference number：10A0533502

Penetration of Hydrogen and Deuterium into Si and Hydrogen States in Si

Si 結晶における水素の侵入過程と状態

Author (1)： MURAKAMI KOICHI (筑波大学数理物質科学研究科電子・物理工学専攻)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 53  Issue： 4  Page： 265-270 (J-STAGE)  Publication year： 2010 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Hydrogen ,  semiconductor ,  *interstitial atom ,  *silicon ,  silicon dioxide ,  interface (surface) ,  *complex (substance) ,  nanostructure ,  passivation ,  *isotope effect ,  modification
Semi thesaurus term： *interstitial atom

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Reference (13)：

• 村上浩一. 固体物理. 1998, 33, 735-745
• PANKOVE, J. I. edited. Hydrogen in Semiconductors. 1991
• LYDING, J. W. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2526
• VAN DE WALLE, C. G. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2441
• MURAKAMI, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2009, 48, 091204

Terms in the title (5)： Si ,  結晶 ,  水素 ,  侵入 ,  過程