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J-GLOBAL ID：201002266352148779   Reference number：10A0874722

Silicon Trench Etching by Electron Cyclotron Resonance Plasma

Electron Cyclotron Resonance Plasma を用いたシリコン深掘り技術

Author (4)： ENTA YUTAKA (株式会社日立ハイテクノロジーズプロセス製造装置三部) ,  FURUSE MUNEO (株式会社日立ハイテクノロジーズエッチング装置第二設計部) ,  TAKATA KAZUO (株式会社日立ハイテクノロジーズエッチング装置第二設計部) ,  TSUTSUMI TAKASHI (株式会社日立ハイテクノロジーズプロセス製造装置三部)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 53  Issue： 7  Page： 435-440 (J-STAGE)  Publication year： 2010 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electron cyclotron resonance plasma ,  plasma source ,  *silicon ,  high frequency discharge ,  aspect ratio ,  wafer ,  *plasma etching ,  circuit pattern generation ,  temperature dependence ,  *plasma

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (8)：

• 1) 岸 敬二:パワーエレクトロニクスとその応用(東京電機大学出版,2008) p. 130.
• 2) 山崎 浩:パワー MOSFET/IGBT 入門(日刊工業新聞社,2002) p. 12.
• 3) Y. Noda, T. Shibata, T. Yamamoto and H, Yamaguchi: Proceedings of International Symposium on Dry Process, Tokyo, Japan, (2008) p. 127.
• 4) 徳山 巍:半導体ドライエッチング技術(産業図書,1992) p. 26, p. 106, p. 334.
• 5) M. Furuse and S. Watanabe: J. Vac. Sci. Technol. A, 17 (6), (Nov/Dec 1999) 3225.

Terms in the title (2)： シリコン ,  深掘り