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J-GLOBAL ID：201002274248962157   Reference number：10A0048866

Formation of Bare Porous Surface on 6H-SiC Substrates by Photo-Electrochemical Etching

光電気化学エッチングによる6H-SiC基板上の裸多孔質表面の形成

Author (2)： TANAKA Akira (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KATSUNO Hironobu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 12  Page： 120217.1-120217.3  Publication year： Dec. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photoelectrochemical reaction ,  *etching ,  *silicon carbide ,  *porous medium ,  in situ observation ,  electrolytic polishing ,  exfoliation ,  bubble ,  *6H-silicon carbide ,  machining
Semi thesaurus term： *chemical etching ,  *6H-SiC

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (25)：

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Terms in the title (3)： 光電気化学エッチング ,  6H-SiC ,  多孔質