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J-GLOBAL ID：201002275174363147   Reference number：10A0465824

300nm以上のドメインサイズをもつ4H-SiC(0001)上の高品質モノグラフェン

Author (8)： HATTORI AZUSA (大阪大 大学院) ,  OKAMOTO TAKESHI (大阪大 大学院) ,  SADAKUNI SHUN (大阪大 大学院) ,  MURATA JUNJI (大阪大 大学院) ,  ARIMA KENTA (大阪大 大学院) ,  SANO YASUHISA (大阪大 大学院) ,  ENDO KATSUYOSHI (大阪大 大学院) ,  YAMAUCHI KAZUTO (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 57th  Page： ROMBUNNO.18P-TE-12  Publication year： Mar. 03, 2010 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *crystal grain size(diameter) ,  *silicon carbide ,  *monomolecular layer ,  *graphite ,  *chemical polishing ,  heating ,  ultra high vacuum ,  crystal growth ,  Raman spectrum ,  X-ray photoelectron spectrum ,  *graphene ,  chemical mechanical polishing
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  CMP ,  superstructure ,  low-energy electron microscopy

JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (4)： ドメインサイズ ,  4H-SiC ,  高品質 ,  グラフェン