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J-GLOBAL ID：201002282062150112   Reference number：10A0908773

A Dopant Cluster in a Highly Antimony Doped Silicon Crystal

高度にアンチモンをドープしたシリコン結晶におけるドーパントクラスタ

Author (15)： KIM Suhyun (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OSHIMA Yoshifumi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OSHIMA Yoshifumi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAWADA Hidetaka (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SAWADA Hidetaka (Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN) ,  HASHIKAWA Naoto (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  ASAYAMA Kyoichiro (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  KANEYAMA Tosikatu (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KANEYAMA Tosikatu (Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN) ,  KONDO Yukihito (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KONDO Yukihito (Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN) ,  TANISHIRO Yasumasa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TANISHIRO Yasumasa (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TAKAYANAGI Kunio (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKAYANAGI Kunio (JST-CREST, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 3  Issue： 8  Page： 081301.1-081301.3  Publication year： Aug. 25, 2010 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Antimony ,  *additive effect ,  silicon ,  single crystal ,  *dopant ,  *cluster ,  scanning electron microscope ,  semiconductor ,  monocrystal silicon ,  depth of field

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (15)：

• GOSSMANN, H.-J. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000, 610, B1.2.1
• LARSEN, A. N. J. Appl. Phys. 1986, 59, 1908
• RADAMSON, H. H. J. Appl. Phys. 1994, 76, 763
• CHADI, D. J. Phys. Rev. Lett. 1997, 79, 4834
• PANDEY, K. C. Phys. Rev. Lett. 1988, 61, 1282

Terms in the title (3)： アンチモン ,  ドープ ,  シリコン結晶