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J-GLOBAL ID：201002283682244873   Reference number：10A0252948

β-Ga₂O₃ growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるβ-Ga₂O₃成長

Author (4)： TSAI Min-ying (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106) ,  BIERWAGEN Oliver (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106) ,  WHITE Mark E. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106) ,  SPECK James S. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 28  Issue： 2  Page： 354  Publication year： Mar. 2010 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  beta phase ,  epitaxy ,  MBE growth ,  growth rate ,  flux ,  columnar crystal ,  heteroepitaxy ,  homoepitaxy ,  transparent conducting thin films ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  preferred orientation ,  surface terrace ,  quadrupole mass spectrometry
Semi thesaurus term： sapphire substrate ,  *plasma assisted MBE

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (5)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  β-Ga2O3 ,  成長