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J-GLOBAL ID：201002286846924896   Reference number：10A0268067

超平坦化加工した4H-SiC(0001)表面上のグラフェン

Author (8)： HATTORI AZUSA (大阪大 大学院) ,  OKAMOTO TAKESHI (大阪大 大学院) ,  SADAKUNI SHUN (大阪大 大学院) ,  MURATA JUNJI (大阪大 大学院) ,  ARIMA KENTA (大阪大 大学院) ,  SANO YASUHISA (大阪大 大学院) ,  ENDO KATSUYOSHI (大阪大 大学院) ,  YAMAUCHI KAZUTO (大阪大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
Volume： 65  Issue： 1 第4分冊  Page： 957  Publication year： Mar. 01, 2010 
JST Material Number： S0671B  ISSN： 1342-8349  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *flatness (property) ,  silicon carbide ,  *Graphite ,  *Adsorption ,  *heat treatment ,  wafer ,  fine patterning ,  *graphene
Semi thesaurus term： 超平坦化加工

JST classification (1)： Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Terms in the title (3)： 平坦化加工 ,  4H-SiC ,  グラフェン