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J-GLOBAL ID：201002290235717590   Reference number：10A1104343

分光エリプソメトリーによるテクスチャー型a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の高精度構造評価

Author (3)： MATSUKI NOBUYUKI (岐阜大 未来型太陽光発電システム研究セ) ,  TANAKA YOSHIKAZU (岐阜大 未来型太陽光発電システム研究セ) ,  FUJIWARA HIROYUKI (岐阜大 未来型太陽光発電システム研究セ)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 71st  Page： ROMBUNNO.15A-ZB-6  Publication year： Aug. 30, 2010 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *heterojunction ,  *solar cell ,  multiple reflection ,  plasma CVD ,  film thickness ,  optical measurement ,  texturing ,  semiconductor thin film ,  silicon ,  energy conversion efficiency ,  optical constant ,  *monocrystal silicon ,  *hydrogenated amorphous silicon
Semi thesaurus term： *a-Si:H ,  model fitting ,  *spectroscopic ellipsometry

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Terms in the title (4)： 分光エリプソメトリー ,  Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  構造評価