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J-GLOBAL ID：201002297680283856   Reference number：10A1100176

Influence of Thickness of the Buffer Layer on the Growth of Carbon Nanotubes by Chemical Vapor Deposition Method

CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるBuffer層の影響に関する研究

Author (7)： UEMURA IPPEI (九州工業大学大学院工学研究院) ,  KOGA HIKARU (九州工業大学大学院工学研究院) ,  KOJIMA KENSHI (九州工業大学大学院工学研究院) ,  UEDA KENSUKE (九州工業大学大学院工学研究院) ,  IKARI TOMONORI (宇部工業高等専門学校) ,  NAITO MASAMICHI (九州工業大学大学院工学研究院) ,  NISHIGAKI SATOSHI (九州工業大学大学院工学研究院)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 31  Issue： 10  Page： 551-553 (J-STAGE)  Publication year： 2010 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *carbon nanotube ,  *chemical vapor deposition ,  substrate (plate) ,  Chromium ,  iron catalyst ,  nickel catalyst ,  transition metal catalyst ,  scanning electron microscope ,  *film thickness ,  growth regulation ,  *buffer layer ,  flat panel display ,  glass substrate ,  cobalt catalyst ,  *film thickness dependence
Semi thesaurus term： FED

JST classification (3)： Atomic and molecular clusters  (BH09030O) ,  Vapor plating  (WC08022K) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Reference (7)：

• 1) Z.F. Ren, Z.P. Huang, J.W. Xu, J.H. Wang, P. Bush, M.P. Siegal and P.N. Provencio: Science 282, 1105 (1998).
• 2) M. Kusunoki, T. Suzuki, T. Hirayama, N. Shibata and K. Kaneko: Appl. Phys. Lett. 77, 531 (2000).
• 3) E.G. Gamaly and T.W. Ebbesen: Phys. Rev. B 52, 2083 (1995).
• 4) A. Thess, R. Lee, P. Nikolaev, H. Dai, P. Petit, J. Robert, C. Xu, U.H. Lee, S.G. Kim, A.G. Rinzler, D.T. Colbert, G.E. Scuseria, D. Tomanek, J.E. Fisher and R.E. Smalley: Science 273, 605 (1996).
• 5) I.T. Han, B.K. Kim, H.J. Kim, M. Yang, Y.W. Jin, S. Jung, N. Lee, S.K. Kim and J.M. Kim: Chem. Phys. Lett. 400, 139 (2004).

Terms in the title (4)： CVD法 ,  カーボンナノチューブ ,  成長 ,  研究