III-V族半導体材料の大量製造装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009538463
Publication number (International publication number)：2010510167
Application date： Nov. 16, 2007
Publication date： Apr. 02, 2010
Summary：

本発明は、III族-N(窒素)化合物半導体ウェハ、特にGaNウェハを生産するように最適化された方法および装置に関する。具体的には本発明の方法は、化学蒸着(CVD)リアクタ内の分離弁フィクスチャ(isolation valve fixture)の表面への不必要な材料の形成を実質的に防ぐことに関する。本発明は、反応室内で、1つの反応物としてのある量の気体III族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体V族成分と反応させることによって単結晶III-V族半導体材料を形成するシステムおよび方法において使用される分離弁の表面へのGaCl3および反応副生物の堆積/凝縮を制限する装置および方法を提供する。

Claim (excerpt)：

単結晶III-V族半導体材料の大量生産を提供するシステムであって、 1つの反応物として使用されるIII族前駆体の外部大容積供給源と、他の反応物として使用されるV族成分の外部大容積供給源と、前記III族前駆体およびV族成分を受け取り、反応させて前記単結晶III-V族半導体材料を形成する温度制御された反応室とを備えることを特徴とするシステム。

IPC (4)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C23C 16/448 , C30B 25/02

FI (4)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C23C16/448 , C30B25/02 Z

F-Term (80)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077EG03 , 4G077EG13 , 4G077EG15 , 4G077EG18 , 4G077EG21 , 4G077EG22 , 4G077EG23 , 4G077EG24 , 4G077EG25 , 4G077EG26 , 4G077EG30 , 4G077EH01 , 4G077EH06 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA08 , 4G077TA11 , 4G077TA12 , 4G077TB03 , 4G077TC01 , 4G077TC03 , 4G077TC05 , 4G077TD02 , 4G077TD06 , 4G077TD08 , 4G077TF04 , 4G077TF06 , 4G077TH06 , 4G077TH07 , 4G077TH11 , 4G077TJ02 , 4G077TJ03 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030EA01 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030EA12 , 4K030EA14 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030JA05 , 4K030KA09 , 4K030KA10 , 4K030KA12 , 4K030KA24 , 4K030KA25 , 4K030KA26 , 4K030KA46 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EC01 , 5F045EC07 , 5F045EF13 , 5F045EG01 , 5F045EJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

AlNエピタキシャル層の成長方法及び気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-028489 Applicant：農工大ティー・エル・オー株式会社
特開昭59-188118
特開昭55-117229

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