Pat

J-GLOBAL ID：201003004680298787

電子線干渉装置、および電子線干渉顕微方法

Inventor： 原田 研 ,  明石 哲也 ,  松井 功
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立ハイテクノロジーズ ,  独立行政法人理化学研究所
Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009044434
Publication number (International publication number)：2010198985
Application date： Feb. 26, 2009
Publication date： Sep. 09, 2010
Summary：

【課題】本発明は、2段電子線バイプリズム干渉計での干渉顕微鏡像の観察を前提としてなされたものである。従来の電子線干渉計測法では、電子線バイプリズムの極細線電極から発生するフレネル縞が取得画像ごとに変化して干渉像に重畳されるため、新たなアーティファクトの原因となり、高精度な再生像を得るには至っていない。【解決手段】従来の2段電子線バイプリズム干渉計における上段と下段の電子線バイプリズムに加えて、新たに、電子線偏向器を使用することにより、もしくは上段または下段の電子線バイプリズムに電子線偏向機能を合わせ持たせた。これにより、電子光学上の試料の像面において電子線に偏向を与え物体波と参照波の相対的位相差のコントロールが可能となる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

電子線の光源と、前記光源から放出される電子線を試料に照射するための照射光学系と、前記電子線が照射する試料を保持するための試料保持装置と、前記試料の像を結像するための対物レンズおよび複数のレンズから構成される結像レンズ系と、前記試料像を観察あるいは記録するための画像記録装置を有する電子線装置であって、 前記電子線の光軸に沿い、前記試料の配置される位置より該電子線の進行方向の下流側、かつ、前記結像レンズ系に属する1つもしくは複数のレンズを介した前記試料の像面位置に、第1の電子線バイプリズムが配置され、 前記電子線の光軸に沿い、かつ、前記第1の電子線バイプリズムよりも前記電子線の進行方向の下流側に、第2の電子線バイプリズムが配置され、 前記結像レンズ系に属する少なくとも1つのレンズを介した前記試料の像面位置に、電子線偏向器が配置されていることを特徴とする電子線干渉装置。

IPC (1)：

H01J 37/295

FI (1)：

H01J37/295

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 干渉装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-004156   Applicant：独立行政法人理化学研究所
• 走査型干渉電子顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-182480   Applicant：株式会社日立製作所
• バイプリズム・シフトによる電子線干渉計測システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-169900   Applicant：科学技術振興事業団, 近藤行人