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J-GLOBAL ID：201003004964847624

水素製造方法

Inventor：
小出 隆太郎

About 小出 隆太郎


Applicant, Patent owner：
株式会社ジャパンエナジー

About 株式会社ジャパンエナジー


Agent (3)： 杉村 憲司 ,  冨田 和幸 ,  寺嶋 勇太
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008168971
Publication number (International publication number)：2010006652
Application date： Jun. 27, 2008
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：
【課題】触媒層を具える脱水素反応器中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行う水素の製造方法において、運転開始時に副生成物(脱水素反応の反応阻害物質)の生成を抑制することが可能な水素製造方法を提供する。【解決手段】触媒層を具える脱水素反応器中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行う水素の製造方法であって、前記触媒層に水素を供給する工程と、前記触媒層を第1の温度まで加熱する工程と、水素が供給され前記第1の温度まで加熱された触媒層に、芳香族炭化水素の水素化物を供給して該水素化物の脱水素反応を開始させる工程と、水素および芳香族炭化水素の水素化物が供給されている触媒層を、前記第1の温度より高い第2の温度まで加熱する工程とを含む、水素製造方法である。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
触媒層を具える脱水素反応器中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行う水素の製造方法であって、 前記触媒層に水素を供給する工程と、 前記触媒層を第1の温度まで加熱する工程と、 水素が供給され前記第1の温度まで加熱された触媒層に、芳香族炭化水素の水素化物を供給して該水素化物の脱水素反応を開始させる工程と、 前記水素および前記芳香族炭化水素の水素化物が供給されている触媒層を、前記第1の温度より高い第2の温度まで加熱する工程と、 を含む、水素製造方法。
IPC (1)：
C01B 3/26
FI (1)：
C01B3/26
F-Term (5)：
4G140DA03 ,  4G140DB03 ,  4G140DB05 ,  4G140DC03 ,  4G140DC07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 水素貯蔵・供給システム
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-307206   Applicant：市川勝, ジャパンエナジー電子材料株式会社
  • 水素の貯蔵輸送システム
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-095282   Applicant：千代田化工建設株式会社
Cited by examiner (5)
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