高効率の縦列太陽電池用の低抵抗トンネル接合

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：北村修一郎 , 山▲崎▼ 徹也 , 東邦彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010503044
Publication number (International publication number)：2010534922
Application date： Apr. 09, 2008
Publication date： Nov. 11, 2010
Summary：

半導体構造は、第1材料からなる第1光電池と、第2材料からなり、第1光電池に直列接続した第2光電池とを備える。第2材料に隣接する第1材料の伝導帯エッジは、その材料に隣接する第2材料の価電子帯エッジより大きくても0.1eVだけ高い。好ましくは、第1光電池の前記第1材料はIn1-xAlxNまたはIn1-yGayNからなり、前記第2光電池の前記第2材料はシリコンまたはゲルマニウムからなる。あるいは、第1光電池の第1材料はInAsまたはInAsSbからなり、第2光電池の第2材料はGaSbまたはGaAsSbからなる。

Claim (excerpt)：

第1材料からなる第1光電池と、第2材料からなり、前記第1光電池に直列接続した第2光電池と、を備え、前記第2材料に隣接する前記第1材料の伝導帯エッジは、前記材料に隣接する前記第2材料の価電子帯エッジより大きくても0.1eVだけ高い、半導体構造。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (2)：

H01L31/04 Y , H01L31/04 E

F-Term (4)：

5F051AA01 , 5F051AA08 , 5F051DA03 , 5F051DA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

太陽電池およびその製造方法、並びに多層薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-310981 Applicant：株式会社クリスタルデバイス
特公昭63-048197
人工アモルファス半導体および太陽電池への適用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-509832 Applicant：ニューサウス・イノヴェイションズ・ピーティーワイ・リミテッド

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