薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008271622
Publication number (International publication number)：2010103203
Application date： Oct. 22, 2008
Publication date： May. 06, 2010
Summary：

【課題】半導体のプロセス耐性が向上し、且つ、生産効率が向上した薄膜トランジスタの製造方法を提供し、且つ、該製造方法により製造された半導体特性の安定した薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316 , H01L 21/312

FI (5)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L21/316 B , H01L21/312 A

F-Term (58)：

5F058AA04 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH03 , 5F058BA07 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ03 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE34 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325364 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
画像表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325365 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-258276 Applicant：キヤノン株式会社

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