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J-GLOBAL ID：200903074628902185

電界効果型トランジスタ

Inventor： 長田 芳幸 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005325364
Publication number (International publication number)：2006165527
Application date： Nov. 09, 2005
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】新規なトランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極708、ドレイン電極709、ゲート電極712、及び電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物を含む活性層を備え、且つ該ゲート電極と、該ソース及びドレイン電極が自己整合していることを特徴とする。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

電界効果型トランジスタであって、 ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び 電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物を含む活性層を備え、且つ 該ゲート電極と、該ソース及びドレイン電極とが自己整合していることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (5)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G

F-Term (40)：

4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (4)

• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081483   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 特開平3-290622
  
• 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068270   Applicant：新技術事業団
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-086175   Applicant：ミノルタ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室