半導体装置用絶縁膜、半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (4)：光石俊郎 , 光石忠敬 , 田中康幸 , 松元洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008169847
Publication number (International publication number)：2010010516
Application date： Jun. 30, 2008
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性に優れた半導体装置用絶縁膜、当該半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】所定のアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ2内に供給し、誘導結合型プラズマ発生機構(4、5、6)を用いて、チャンバ2内に電磁波を入射して、ガスをプラズマとし、プラズマのプラズマ拡散領域に基板8を配置し、プラズマにより解離されたアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合し、半導体装置用絶縁膜として基板8に成膜する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下記化学式1に示すアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ内に供給し、誘導結合型のプラズマ生成手段を用いて、前記チャンバ内に電磁波を入射して、前記ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマのプラズマ拡散領域に基板を配置し、前記プラズマにより解離された前記アルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合し、半導体装置用絶縁膜として前記基板に成膜することを特徴とする半導体装置用絶縁膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/312 , H01L 21/31 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , C23C 16/38 , C23C 16/56

FI (5)：

H01L21/312 A , H01L21/31 C , H01L21/90 S , C23C16/38 , C23C16/56

F-Term (41)：

4K030AA01 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA49 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA04 , 4K030JA03 , 4K030JA10 , 4K030KA20 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033RR21 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW07 , 5F033XX28 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC16 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045DP02 , 5F045EH11 , 5F045EH20 , 5F058AC10 , 5F058AF02 , 5F058AH02 , 5F058AH03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特許第3778164号公報

Cited by examiner (2)

層間絶縁膜およびその製造方法、ならびに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-156313 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
窒化ホウ素膜の成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-406904 Applicant：三菱重工業株式会社

Return to Previous Page